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英飛凌推出具備更大爬電距離的寬體封裝

2016年5月19日,德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司(FSE: IFX OTCQX: IFNNY)為其EiceDRIVER? Compact隔離型門級驅(qū)動IC產(chǎn)品家族帶來了寬體封裝新成員。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封裝,可增大爬電距離并改善熱性能
  2016年5月19日,德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)為其EiceDRIVER™ Compact隔離型門級驅(qū)動IC產(chǎn)品家族帶來了寬體封裝新成員。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封裝,可增大爬電距離并改善熱性能。

  全新IC的爬電距離為8 mm,輸入至輸出隔離電壓1200 V。它們專為驅(qū)動高壓功率MOSFET和IGBT而設(shè)計。目標應用包括通用和光伏逆變器、工業(yè)變頻器、電動汽車充電站、焊接設(shè)備及商用和農(nóng)用車等。優(yōu)化的引腳可簡化PCB設(shè)計,實現(xiàn)低阻抗電源。與英飛凌EiceDRIVER™產(chǎn)品家族的其他成員一樣,1EDI Compact 300 mil驅(qū)動基于英飛凌的無芯變壓器技術(shù)。最新推出的驅(qū)動IC能實現(xiàn)最大6 A的輸出電流。

  產(chǎn)品信息與上市時間

  該IC能在獨立的灌電流和拉電流輸出引腳分別提供驅(qū)動電流0.5A(1EDI05I12AH)、2A(1EDI20I12AH)、4A(1EDI40I12AH)和6A(1EDI60I12AH)的不同型號。這些器件的典型延遲為300納秒。對于速度更高的應用,1EDI20H12AH和1EDI60H12AH的延遲有所縮短,只有120納秒,非常適合于當今和未來的基于SiC-MOSFET的應用。另外三個型號(1EDI10I12MH、1EDI20I12MH和1EDI30I12MH)配有一個集成的米勒鉗位,可提供相應的輸出電流1A、2A和3A等規(guī)格。

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