日前，美國美光科技宣布，與美國Sun Microsystems合作開發(fā)出可大幅延長面向企業(yè)的存儲壽命，基于2值（single level cell）技術(shù)的NAND閃存技術(shù)（英文發(fā)布資料）。該技術(shù)可制造能擦寫100萬次的元件。由此，此前因擦寫次數(shù)限制而不能使用的閃存便可用于企業(yè)。該技術(shù)適用于SSD、存儲設(shè)備及網(wǎng)絡(luò)裝置等。
美光科技已開始樣品供貨使用該技術(shù)、最大32Gbit的企業(yè)用NAND閃存。預(yù)定2009年第一季度開始量產(chǎn)。并且，計劃09年投放使用34nm工藝技術(shù)的企業(yè)用NAND閃存的2值產(chǎn)品和多值（multi level cell）產(chǎn)品。
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