獲悉，美國Rambus公司宣布，其已向日本松下提供Rambus的DDR3內(nèi)存接口技術授權（英文發(fā)布資料）。松下計劃將該技術應用于消費電子產(chǎn)品用SoC（系統(tǒng)芯片）。
通過該技術的宏單元（Macrocell），可使SoC端的控制邏輯和DDR3型DRAM之間的傳輸速度最大達到1.6Gbit/秒。發(fā)布資料介紹了松下Satoru Fujikawa（戰(zhàn)略半導體開發(fā)中心主任）的評述。
“此次從Rambus引進DDR3內(nèi)存接口技術之后，我們的技術實力將會進一步增強。這樣，我們便可提供全球用戶所期望的功能及性能”
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