目前在下一代存儲(chǔ)芯片的研發(fā)當(dāng)中，除了3D XPoint芯片外還有ReRAM芯片(非易失性阻變式存儲(chǔ)器)。中芯國(guó)際將采用自家的40nm CMOS試產(chǎn)ReRAM芯片。
據(jù)介紹，這種芯片比NAND芯片性能更強(qiáng)，密度比DRAM內(nèi)存高40倍，讀取速度快100倍，寫(xiě)入速度快1000倍，耐久度高1000倍，單芯片(200mm2左右)即可實(shí)現(xiàn)TB級(jí)存儲(chǔ)，還具備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于制造等優(yōu)點(diǎn)。
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