根據(jù)中新網(wǎng)近日的報(bào)道稱，紫光成都存儲(chǔ)器制造基地目前已經(jīng)開(kāi)工，這個(gè)基地未來(lái)將在投資240億美元建設(shè)新的閃存工廠，主要生產(chǎn)3D NAND閃存。而在此前紫光曾表示，其旗下DDR4芯片正在開(kāi)發(fā)中，預(yù)計(jì)年底前完成并推向市場(chǎng)。
按照紫光的說(shuō)法，目前他們還在研發(fā)128層堆棧的256Gb核心3D NAND閃存，而今年年底將會(huì)量產(chǎn)32層64Gb核心的3D NAND閃存，明年會(huì)量產(chǎn)64層堆棧128Gb核心容量的閃存。
換個(gè)角度來(lái)看，紫光加速閃存生產(chǎn)速度的行為其實(shí)是國(guó)產(chǎn)內(nèi)存市場(chǎng)加速的小小縮影。
2019年開(kāi)始中國(guó)大陸地區(qū)將有三家存儲(chǔ)芯片廠竣工并投入量產(chǎn)內(nèi)存、閃存，其中進(jìn)展最快的是長(zhǎng)江存儲(chǔ)，其正在研發(fā)64層的3D NAND閃存，計(jì)劃在2018年年底前推出樣品。至于合肥長(zhǎng)鑫、福建晉華基本將LPDDR4芯片量產(chǎn)時(shí)間定于2019年上半年。
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