全球領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機存取存儲器(F-RAM) 和集成式半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出采用FBGA封裝的8兆位(Mb) F-RAM存儲器。FM23MLD16是采用48腳球柵陣列(FBGA)封裝的8-Mb、3V并口非易失性RAM，具有訪問速度快、幾乎無限次的讀寫次數(shù)以及低功耗等優(yōu)點。該器件與異步靜態(tài) RAM (SRAM) 引腳兼容，主要針對工業(yè)控制系統(tǒng)如機器人技術(shù)、網(wǎng)絡(luò)RAID存儲解決方案、多功能打印機、自動導(dǎo)航系統(tǒng)，以及各種基于SRAM的系統(tǒng)設(shè)計。

    Ramtron 市場推廣經(jīng)理Mike Peters 稱：“這款8-Mb F-RAM 并口存儲器，以及我們最近發(fā)布的4-Mb FM22LD16，都是設(shè)計用來滿足客戶在寫入密集型數(shù)據(jù)應(yīng)用中對更高存儲容量的需求。這兩款產(chǎn)品具引腳兼容特點，易于實現(xiàn)存儲容量升級。系統(tǒng)設(shè)計人員使用FM23MLD16，在與TSOP32 封裝相同大小的PCB空間上可將F-RAM 密度提高7倍?！?/P>

產(chǎn)品主要特性
    FM23MLD16是512K×16 的非易失性存儲器，采用工業(yè)標準并行接口實現(xiàn)存取，訪問時間為60ns，一個訪問周期為115ns。該器件以 ‘無延遲' (NoDelay?)的特點按照總線速度進行讀寫操作，擦寫壽命至少為1E14 (100萬億) 次，并提供10年的數(shù)據(jù)保存能力。

    相比需以電池供電的 SRAM (BBSRAM)，F(xiàn)M23MLD16無需電池即可進行數(shù)據(jù)備份，性能更出眾。作為真正的表面封裝焊解決方案，F(xiàn)M23MLD16無需象電池備份的SRAM那樣需要與電池相關(guān)的返工步驟，而且具有更高的耐潮性、抗沖擊和抗振動能力，使F-RAM成為要求嚴苛的工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。FM23MLD16包含低電壓檢測功能，當電源電壓低于臨界閾值時，便會阻止對存儲器的訪問。從而防止存儲器在這種情況下出現(xiàn)的不當訪問，避免數(shù)據(jù)破壞。

    此外，F(xiàn)M23MLD16具有通用的與高性能微處理器相連的接口，兼具高速頁寫模式，能以高達33MHz的速度進行8字節(jié)并發(fā)(Burst)讀寫操作。FM23MLD16器件的讀/寫工作電流為9mA，待機模式下典型電流值僅為180μA，而在整個工業(yè)溫度范圍內(nèi) (-40℃至+85℃) 的工作電壓為2.7V至3.6V。

價格和供貨
    Ramtron  現(xiàn)已提供FM23MLD16的樣品，采用符合RoHS指令要求的48腳FBGA封裝，訂購1萬片，單價為29.23美元。