近日，恒憶（Numonyx）發(fā)布業(yè)內首款采用45納米工藝技術的多級單元（MLC）NOR閃存樣片。在為客戶提供高度的產品連續(xù)性和可靠性的同時，新產品發(fā)布還使恒憶能夠大幅度提高存儲產品的性能。新產品遙遙領先上一代65nm產品，是當前市場上最先進的NOR閃存。恒憶NOR閃存芯片廣泛用于手機，運行關鍵的手機操作系統(tǒng)，管理個人數(shù)據(jù)，存儲相片、音樂和視頻。

    這款45nm的1兆位(Gb)單片閃存基于Numonyx? StrataFlash? 存儲器架構，引腳兼容恒憶目前量產的65nm NOR閃存芯片。產品架構的兼容性和連續(xù)性使手機原始設備制造商能夠降低開發(fā)成本，延長現(xiàn)有產品平臺的生命周期，利用大容量存儲和速度更快的存儲器“立即執(zhí)行”功能，加快向市場推出新產品的速度。與上一代產品相比，新技術將數(shù)據(jù)寫入速度提高50%。

    “手機存儲市場還有很大的空間，升級閃存制造技術的迫切要求依然來自市場對高密度、低成本非易失性NOR閃存的需求，”恒憶首席技術官Ed Doller表示，“通過開發(fā)新的工藝技術，在業(yè)內最先進的45nm技術平臺上制造第7代MLC NOR閃存，恒憶工程師克服了技術升級的主要限制，率先為客戶帶來性價比優(yōu)勢?！?/P>

    在如何設計新一代NOR閃存技術方面，恒憶取得了一項重大設計突破。新產品采用一個新的自對準接觸(SAC)方法，在保持與過去產品兼容以及高度可靠性和產品質量的同時，這種方法還使恒憶閃存產品得以不斷升級?！爱斦麄€行業(yè)還在設法解決閃存技術的升級能力的時候，恒憶推出的產品無論從架構還是連續(xù)性上都達到甚至超過了客戶對成本和可靠性的要求，這確實是一項了不起的成就，”Doller表示。

    恒憶正在一定的密度和數(shù)量范圍內檢測新產品樣片，計劃今年推出采用這項新技術的產品。預計2010年開始量產。恒憶還計劃將此項技術部署到所有的嵌入式閃存解決方案中，把連續(xù)性架構的性能優(yōu)點以及穩(wěn)定性和可靠性擴展到主要嵌入式市場。