英飛凌科技Bipolar GmbH & Co. KG推出專為現(xiàn)代IGBT應(yīng)用而設(shè)計的新型二極管系列：英飛凌Prime Soft。該二極管具備改進的關(guān)斷能力，關(guān)斷速度可達5 kA/μs。Prime Soft以廣受好評的基于單硅芯片設(shè)計的IGCT續(xù)流二極管系列為基礎(chǔ)。該二極管的典型應(yīng)用為使用電壓源變換器的HVDC/FACT和中壓驅(qū)動設(shè)備，這些應(yīng)用的特點是對功率損耗的要求很高。

采用新型Prime Soft二極管的客戶將受益于行業(yè)領(lǐng)先的低導(dǎo)通損耗。這是通過單硅芯片設(shè)計實現(xiàn)的，與多芯片二極管相比，其有效硅芯片面積增加了25％以上。這種新型設(shè)計將最高結(jié)溫達140°C下開關(guān)功率提高到6-10 MW。與硅和鉬載體之間沒有牢固金屬镕接的自由浮動壓接封裝相比，這種新型熔接器件的熱阻降低了大約20％。

除了高可靠性和良好的熱性能外，英飛凌Prime Soft二極管具備最小的開關(guān)損耗。它的軟反向恢復(fù)性能在所有相關(guān)工況下均無不當振蕩。除了電氣參數(shù)之外，新的機械概念通過串聯(lián)疊壓組件式IGBT和續(xù)流二極管來簡化堆疊壓組件結(jié)構(gòu)。這種疊壓組件設(shè)計使組裝所需的時間縮短了大約50%。

供貨

壓裝式超軟IGBT續(xù)流二極管具備4.5 kV阻斷電壓。該二極管有三種不同的封裝直徑：D1600U45X122、D2700U45X122和D4600U45X172。

英飛凌 Prime Soft二極管的單硅芯片設(shè)計使得有效硅芯片面積增加，相比多芯片二極管而言增加了25%以上。這種新型設(shè)計將140°C最高結(jié)溫下開關(guān)功率提高到6-10 MW。