DRAM和NAND的價格在2016年下半年開始上漲，并持續(xù)到2017年上半年.。從3Q16至2Q17，DRAM內(nèi)存芯片的平均銷售價格上漲了16.8%;NAND閃存芯片的價格則在同期上漲了11.6%。
圖：全球DRAM和NAND存儲芯片的季度平均銷售價格。(IC Insights, 2017.07)
隨著DRAM的ASP自2016年第三季度開始大幅增長，DRAM廠商再次加大了對這一領(lǐng)域的支出。然而，這些支出大部分投資在技術(shù)而非擴張產(chǎn)能。
IC Insights認為，2017年基本上所有的閃存支出都將用于3D NAND閃存技術(shù)，而不是平面閃存。預(yù)計今年NAND閃存資本支出將大幅增長，同時三星將在韓國平澤的大型新晶圓廠擴大3D NAND生產(chǎn)。
在內(nèi)存市場中，過多的資本支出通常會導(dǎo)致產(chǎn)能過剩以及隨之而來的降價。三星、SK海力士、美光、英特爾、東芝/ SanDisk和XMC /長江存儲均計劃在未來幾年內(nèi)大幅提升3D NAND閃存的產(chǎn)能，同時還有其他的中國生產(chǎn)商可能進入市場。未來幾年內(nèi)3D NAND閃存供過于求的可能性非常高。
IC Insights調(diào)查，DRAM的季度平均銷售價增長率在4Q16達到頂峰，但在今年第二季度繼續(xù)呈強勁上漲態(tài)勢。預(yù)計DRAM平均銷售價將在3Q17持續(xù)上升，但在4Q17開始下降。
即便是DRAM內(nèi)存芯片的平均銷售價格漲幅預(yù)計將在今年下半年放緩，DRAM內(nèi)存芯片的年平均銷售價格增速仍預(yù)計會達到63%。這也是IC Insights自1993年統(tǒng)計該項數(shù)據(jù)以來，年度漲幅最大的一年。歷史上，DRAM的平均銷售價在1997年以57%的年增率創(chuàng)下歷史高點;而NAND則預(yù)計在2017年以33%的ASP年增長率創(chuàng)下記錄。
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