在2016歐洲微波周(European Microwave Week, EuMW)上,恩智浦半導體(NXP)宣布推出第三代RF方案,即主要針對非對稱Doherty放大器架構...
在2016歐洲微波周(European Microwave Week, EuMW)上,恩智浦
半導體(NXP)宣布推出第三代RF方案,即主要針對非對稱Doherty放大器架構設計的四款Airfast 3 LDMOS射頻電晶體,全新Airfast 3技術不僅提高整體技術水平,更可透過單一設備涵蓋完整蜂巢式網(wǎng)路頻帶,滿足目前無線標準的迫切需求,預計2016年第四季量產(chǎn)上市。
恩智浦的Airfast 3在重點地區(qū)提供優(yōu)于業(yè)界的效能,包括效率、增益、射頻(RF)輸出功率和信號頻寬等皆有所突破,此外更同時兼顧環(huán)保,在提供相同等級的輸出功率時大幅減少碳足跡。全新電晶體是首款以塑膠氣腔(Air-cavity)封裝的Airfast產(chǎn)品,結合高射頻效能與低電阻,減少整體系統(tǒng)散熱需求。相較于上一代的Airfast 2,第三代帶來高出4%的效率、高達90MHz的完整訊號(Full-signal)頻寬、在散熱效能方面改善20%,并減少30%的使用空間。
恩智浦執(zhí)行副總裁兼射頻業(yè)務單位總經(jīng)理Paul Hart表示,若要減少蜂巢式基地臺的大小,產(chǎn)業(yè)便需不斷精進射頻功率放大器,本次推出的第三代Airfast正好提供了能引領業(yè)界的外型架構(Form Factor)。
此次推出的四款Airfast 3 LDMOS射頻電晶體主要針對非對稱Doherty放大器架構設計。
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