800 V CoolMOS P7系列可將效率提高最多0.6%。比之CoolMOS C3，或者比之典型反激式應(yīng)用中測試的其他競爭對手產(chǎn)品，這相當(dāng)于將MOSFET溫度降低2到8 °C。這個新基準(zhǔn)源于一系列優(yōu)化器件參數(shù)，包括Eoss和Qg降低50%以上，以及降低Ciss和Coss。這些出色的性能優(yōu)化可以降低開關(guān)損耗,改善DPAK封裝能實(shí)現(xiàn)的最低 RDS(on)值，從而實(shí)現(xiàn)更高功率密度的設(shè)計?？偠灾?，這有助于客戶節(jié)省物料成本，減少組裝工作量。
易用性是這個產(chǎn)品家族從設(shè)計上就實(shí)現(xiàn)的固有特性。其集成式齊納二極管可大幅提升靜電防護(hù)能力，從而減少與靜電放電有關(guān)的產(chǎn)量損失。這個MOSFET擁有行業(yè)領(lǐng)先的高達(dá)3 V的V(GS)th和僅±0.5 V的最小VGS(th)波動范圍。這個組合不僅可以降低驅(qū)動電壓和開關(guān)損耗,還它有助于避免線性區(qū)內(nèi)發(fā)生意外操作。
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