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現(xiàn)在發(fā)布的MOSFET采用6mm x 5mm PowerPAK SO-8封裝,是目前最大導(dǎo)通電阻小于0.6mΩ的兩顆25V MOSFET之一。與同類器件相比,SiRA20DP的典型柵極電荷更低,只有61nC,F(xiàn)OM為0.035Ω*nC,低32%。其他25V N溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻則要高11%甚至更多。
Vishay Siliconix SiA468DJ采用超小尺寸PowerPAK SC-70封裝,是具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻和最高的連續(xù)漏極電流的2mm x 2mm塑料封裝的30V器件。
全新MOSFET利用優(yōu)化其晶粒結(jié)構(gòu)抑制切換時(shí)產(chǎn)出之涌浪電壓及振鈴,有效降低電磁干擾(EMI),此產(chǎn)品之創(chuàng)新研發(fā)已超越目前東芝現(xiàn)有產(chǎn)品。
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