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三星提價(jià)存儲(chǔ)芯片,開發(fā)全新高帶寬存儲(chǔ)芯片

基于當(dāng)前市場供需狀況和人工智能技術(shù)(AI)需求的激增,三星電子宣布計(jì)劃將其主要的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品,包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)和NAND閃存,在第三季度提價(jià)15%至20%。此外,三星電子宣布,已成功開發(fā)出業(yè)界首款HBM3E 12H高帶寬存儲(chǔ)芯片(High Bandwidth Memory 3E 12-High)。

       三星電子的設(shè)備解決方案部門(DS)在京畿道華城工廠召開全球戰(zhàn)略會(huì)議,指出由于人工智能技術(shù)的快速發(fā)展,存儲(chǔ)半導(dǎo)體方面的競爭日益加劇。為滿足市場需求,三星電子決定對其主要存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品進(jìn)行提價(jià)。

  根據(jù)市場研究公司D-RAM Exchange的數(shù)據(jù),今年第一季度全球企業(yè)級NAND閃存銷售額達(dá)到37.58億美元,環(huán)比增長62.9%。這一增長趨勢預(yù)計(jì)將在未來幾個(gè)季度內(nèi)持續(xù)。此外,不斷增長的AI需求導(dǎo)致部分產(chǎn)品庫存出現(xiàn)短缺,客戶也越來越愿意提前鎖定訂單。

  三星電子的漲價(jià)計(jì)劃得到了業(yè)界的廣泛關(guān)注。一位半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士表示:“客戶通常只需要提前給出下一季度的需求,但現(xiàn)在卻告訴芯片制造商他們的全年計(jì)劃?!边@表明,市場需求正在快速增長,供應(yīng)商在市場中占據(jù)主導(dǎo)地位。因此,最終的談判漲幅可能會(huì)高于預(yù)期的15%至20%。

  三星電子的這一決策對于整個(gè)存儲(chǔ)芯片行業(yè)具有重要意義。作為全球最大的存儲(chǔ)芯片制造商之一,三星的漲價(jià)計(jì)劃可能會(huì)對其他存儲(chǔ)芯片制造商產(chǎn)生一定影響。然而,這也將推動(dòng)整個(gè)行業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品升級,以滿足不斷增長的市場需求。

  此外,三星電子宣布,已成功開發(fā)出業(yè)界首款HBM3E 12H高帶寬存儲(chǔ)芯片(High Bandwidth Memory 3E 12-High),再次證明了其在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新實(shí)力和領(lǐng)先地位。

  HBM3E 12H作為三星最新的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品,其獨(dú)特之處在于其采用了先進(jìn)的12層堆疊技術(shù),實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的36GB大容量。與此同時(shí),該芯片的全天候帶寬高達(dá)驚人的1280GB/s,相比前代產(chǎn)品有了顯著的提升。

  這一突破性的技術(shù)不僅極大地提高了數(shù)據(jù)傳輸速度和數(shù)據(jù)處理能力,更為各種高性能計(jì)算和大數(shù)據(jù)處理任務(wù)提供了強(qiáng)大的支持。

  在技術(shù)實(shí)現(xiàn)上,HBM3E 12H采用了TSV(Through Silicon Via)技術(shù),通過將24Gb DRAM芯片堆疊至12層,實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最大的存儲(chǔ)容量。

  同時(shí),三星還利用先進(jìn)的TC NCF(熱壓的非導(dǎo)電薄膜)技術(shù),使12層堆疊產(chǎn)品與原有的8層堆疊產(chǎn)品保持了相同的高度,滿足了HBM封裝規(guī)格要求。這一技術(shù)的運(yùn)用不僅提高了產(chǎn)品的垂直密度,還優(yōu)化了熱量管理功能,進(jìn)一步提升了產(chǎn)品的性能和穩(wěn)定性。

  在性能表現(xiàn)上,HBM3E 12H相比前代產(chǎn)品有了顯著的提升。據(jù)三星官方介紹,該芯片在大數(shù)據(jù)處理上將帶來34%的效率提升,同時(shí)客戶規(guī)模也能因性能增強(qiáng)提升超過11.5倍。這一優(yōu)勢使得HBM3E 12H成為各種使用AI平臺(tái)的公司的理想解決方案。

  HBM3E 12H的發(fā)布標(biāo)志著三星在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域又邁出了重要的一步。作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體技術(shù)公司,三星一直致力于推動(dòng)存儲(chǔ)技術(shù)的創(chuàng)新和發(fā)展。此次推出的HBM3E 12H不僅展示了三星在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的深厚底蘊(yùn)和創(chuàng)新能力,也為其在全球半導(dǎo)體市場的競爭中增添了新的籌碼。

  目前,三星已經(jīng)開始向客戶供應(yīng)HBM3E 12H的樣品,并計(jì)劃于今年下半年開始大規(guī)模量產(chǎn)。三星電子表示,將繼續(xù)保持對技術(shù)創(chuàng)新和市場領(lǐng)導(dǎo)者的關(guān)注,并繼續(xù)推動(dòng)行業(yè)發(fā)展。未來,三星將繼續(xù)致力于研發(fā)更多高性能、高容量的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品,以滿足不斷增長的市場需求。


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