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啟方半導體發(fā)布用于低功耗電源管理芯片的0.18微米非外延BCD工藝

新的0.18微米30V非EPI BCD工藝盡管去除了EPI外延層,但仍保持了同等性能。這個新工藝非常適合于與普通半導體相比需要更高電壓,更高可靠性 和更高效率的功率半導體應用。

  韓國唯一一家純晶圓代工公司啟方半導體(Key Foundry)今天宣布,將發(fā)布用于低功耗PMIC的0.18微米30V非外延BCD工藝。

  BCD是一種將雙極晶體管(Bipolar)、互補金屬氧化物半導體(CMOS)和用于高壓處理的雙擴散金屬氧化物半導體(DMOS)集成在同一個芯片上的工藝技術(shù)。它被廣泛應用于功率半導體的制造,與普通半導體相比,功率半導體需要更高的額定電壓和更高的可靠性,隨著功率半導體應用的擴大,對BCD的需求也在不斷增加。

  與啟方半導體現(xiàn)有帶EPI外延層的BCD工藝相比,這個新的0.18微米30V非EPI BCD工藝盡管去除了EPI外延層,但仍保持了同等性能。這個新工藝非常適合于與普通半導體相比需要更高電壓,更高可靠性 和更高效率的功率半導體應用。能夠適用于低功耗電源管理如智能手機和智能手表應用的 DC-DC 和充電芯片的生產(chǎn)。

  這種新工藝比導通電阻(Rsp)性能與0.18微米EPI BCD工藝相比保持不變。啟方半導體可提供5V至30V之間的各種功率器件選擇。由于該工藝不需要EPI制程,因此提高了工藝效率,通過為5V電源模塊提供5V LDMOS晶體管,實現(xiàn)了高效設計。特別值得一提的是,這個新的非EPI BCD工藝的邏輯器件保持了和現(xiàn)有EPI BCD工藝邏輯器件非常接近的電性能,同時其數(shù)據(jù)庫(libraries) & IP和目前大規(guī)模量產(chǎn)的工藝相兼容。為了提高使用者的便利性,新工藝還提供了MTP(多次編程)和OTP(一次性編程)IP,而不需要任何額外的工藝步驟。得益于這些優(yōu)點,該工藝適用于需要存儲功能的功率半導體,也可以用于其它多種類型的應用,如移動直流-直流IC和充電器IC。

  從工藝開發(fā)的最早階段開始,啟方半導體就與無晶圓廠功率半導體設計客戶密切溝通,以反映市場對工藝結(jié)構(gòu)的需求。啟方半導體通過開發(fā)出容易使用的版圖選項和設計工具包,加強了用戶的使用便利性。特別是,與現(xiàn)有產(chǎn)品相比,客戶能夠?qū)崿F(xiàn)簡化流程提高產(chǎn)品性能。同時這個新工藝滿足了汽車電子國際可靠性規(guī)范AEC Q100的Grade-1要求,所以不僅適用于移動設備,而且還可以用于汽車功率半導體,如馬達驅(qū)動IC和直流-直流IC等。

  啟方半導體首席執(zhí)行官李泰鐘(Tae Jong Lee)博士表示:"隨著功率半導體市場的快速增長,對高度可靠又更精簡的BCD工藝的需求正在增加。我們將繼續(xù)改進工藝技術(shù),提供最優(yōu)化的BCD工藝,滿足功率半導體設計公司的需求。"


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