據(jù)中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，聯(lián)電加速布局難度更高、經(jīng)濟(jì)效益更好的 8 英寸晶圓第三代半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，近期大舉購(gòu)置新機(jī)臺(tái)擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)計(jì)下半年進(jìn)駐廠區(qū)。
臺(tái)媒指出，聯(lián)電此前的第三代半導(dǎo)體布局，主要通過(guò)轉(zhuǎn)投資聯(lián)穎切入，鎖定 6 英寸氮化鎵產(chǎn)品。
供應(yīng)鏈則透露，聯(lián)電近期擴(kuò)大第三代半導(dǎo)體布局，自行購(gòu)置蝕刻、薄膜新機(jī)臺(tái)，預(yù)計(jì)下半年將進(jìn)駐 8 英寸 AB 廠，瞄準(zhǔn) 8 英寸晶圓生產(chǎn)第三代半導(dǎo)體的經(jīng)濟(jì)效益優(yōu)于 6 英寸晶圓的方向。
聯(lián)電首席財(cái)務(wù)官劉啟東對(duì)此回應(yīng)稱，集團(tuán)在第三代半導(dǎo)體的發(fā)展上，仍以聯(lián)穎為主，聯(lián)電則進(jìn)行研發(fā)，不過(guò)確實(shí)有在合作，但細(xì)節(jié)不便透露。
業(yè)界分析，第三代半導(dǎo)體薄膜厚度比一般晶圓代工還厚，很容易導(dǎo)致晶圓彎曲，考慮到制程難度，目前業(yè)界發(fā)展第三代半導(dǎo)體多以 6 英寸為主。不過(guò)，6 英寸晶圓半徑是 5cm，8 寸晶圓半徑則是 10cm，所以 8 英寸相對(duì) 6 英寸，一片可以產(chǎn)出的芯片量會(huì)“多出很多”，在經(jīng)濟(jì)效益較高的前提下，聯(lián)電切入 8 英寸第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域。
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