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華為公開數(shù)項芯片相關專利,包括制備方法、基因比對和學位預測等

據(jù)企查查、天眼查等APP顯示,近日,華為技術有限公司公開數(shù)種芯片技術相關專利,包括“芯片及其制備方法、電子設備”、 “學位資源預測方法、裝置、存儲介質(zhì)和芯片”和“基因比對技術”等。

   據(jù)企查查、天眼查等APP顯示,近日,華為技術有限公司公開數(shù)種芯片技術相關專利,包括“芯片及其制備方法、電子設備”、 “學位資源預測方法、裝置、存儲介質(zhì)和芯片”“基因比對技術”等。

  其中,“芯片及其制備方法、電子設備”專利用于解決裸芯片上出現(xiàn)裂紋,導致裸芯片失效的問題。該專利公開號CN112309991A,申請日2019年7月26日,公開日2021年2月2日。

  華為在專利說明書中表示,電子系統(tǒng)中的核心部件則為裸芯片,裸芯片結(jié)構的穩(wěn)定性決定了電子系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

  然而,在現(xiàn)有技術中,制備裸芯片,或?qū)β阈酒M行封裝時,因受熱或受壓后容易出現(xiàn)裸芯片中膜層與膜層之間開裂,或者膜層斷裂,導致裸芯片失效的問題。

  為了避免這種情況,芯片設計時將包含功能區(qū)和非功能區(qū)。非功能區(qū)有著第一加強件,會對裂紋實現(xiàn)延伸和阻擋作用。同時熱應力可以下降 30%,減少裂紋出現(xiàn)的概率。這種芯片在晶圓加工時預留有切割道,在進行芯片切割分離時可以防止因應力產(chǎn)生裂紋的情況,提高生產(chǎn)良率。

  本申請實施例提供一種芯片及其制備方法、電子設備,用于解決裸芯片上出現(xiàn)裂紋,導致裸芯片失效的問題。芯片,包括功能區(qū)和位于功能區(qū)外圍的非功能區(qū),芯片包括:半導體基底;多層介電層,設置于半導體基底上,且介 電層的一部分位于非功能區(qū);至少一個第一加強件,位于非功能區(qū);第一加強件嵌入至少兩層介電層,且第一加強件與其嵌入的介電層相連接。

  “基因比對技術”專利,公開號CN112309501A,申請日期為2019年10月。

  該專利摘要顯示,所述基因比對技術可以應用于包括光計算芯片的計算機系統(tǒng)中。在執(zhí)行基因比對的過程中,可以先根據(jù)待測基因序列從基因數(shù)據(jù)庫中獲取第一組基因片段,所述第一組基因片段包括與所述待測基因序列的部分堿基匹配的多個參考基因片段。在獲得所述第一組基因片段后,可以將所述待測基因序列與所述第一組基因片段中的多個參考基因片段輸入所述光計算芯片進行光學比對。該技術可以大幅度提升基因比對速度,減少基因比對次數(shù)。

  “學位資源預測方法、裝置、存儲介質(zhì)和芯片”專利公開號為“CN112308263A”。

  專利摘要顯示,本申請?zhí)峁┝艘环N學位資源預測的方法、裝置、存儲介質(zhì)和芯片,涉及計算機數(shù)據(jù)處理領域。其中,該學位資源預測方法包括:從存儲器獲取預測區(qū)域的學位資源預測參數(shù),并根據(jù)預設的學位資源預測模型對該預測區(qū)域的學位資源預測參數(shù)進行處理,得到預測區(qū)域的學位資源需求信息,然后再呈現(xiàn)預測區(qū)域的學位資源需求信息。其中,上述學位資源預測參數(shù)包括人口數(shù)據(jù)、教育數(shù)據(jù)、經(jīng)濟發(fā)展數(shù)據(jù)和就業(yè)數(shù)據(jù)中的至少一種。本申請中通過包含多種參數(shù)的學位資源預測參數(shù)來確定預測區(qū)域的學位資源需求情況,能夠更好地進行學位資源的預測,提高學位資源預測的準確性。

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