IDT公司(Integrated Device Technology)日前發(fā)布4RCD0232K寄存器和4DB0232K數(shù)據(jù)緩沖器樣品。該芯片組集成了近日被納入JEDEC最新標(biāo)準(zhǔn)(定義3200 MT/s性能器件)的新特性，包括決策反饋等化(DFE)、NVDIMM專(zhuān)用通信端口和細(xì)粒化輸出信號(hào)回叫控制等。除了新特性和性能引擎，該芯片組還實(shí)現(xiàn)了目前業(yè)內(nèi)最低的DDR4芯片組功耗。

　　據(jù)表示，美光(Micron)已經(jīng)在檢驗(yàn)IDT DDR4 3200寄存器和數(shù)據(jù)緩沖器工程樣品。該芯片組使高成本效益的LRDIMM 3200解決方案成為可能，還有望把我們?cè)O(shè)計(jì)的NVDIMM提高到更高速度。

　　隨著多插槽內(nèi)存子系統(tǒng)速度越來(lái)越快，回叫和串?dāng)_影響了信號(hào)電壓幅值的質(zhì)量，使之難以識(shí)別信號(hào)的邏輯電平。DFE是一項(xiàng)從噪聲中恢復(fù)原始信號(hào)的技術(shù)，能大大提高信號(hào)電平強(qiáng)度。雖然DFE剛剛被納入JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，但I(xiàn)DT在前兩代器件中就已把它作為專(zhuān)有性能增強(qiáng)技術(shù)。幾年來(lái)，IDT與主要生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴和控制器廠商合作促進(jìn)必要的系統(tǒng)培訓(xùn)軟件和固件開(kāi)發(fā)，以充分實(shí)現(xiàn)DFE帶來(lái)的好處，IDT同時(shí)是推動(dòng)將該技術(shù)納入最新標(biāo)準(zhǔn)修訂版的主要支持者。

　　IDT還加入了一系列旨在提高NVDIMM密度和性能的特性。芯片組和NVDIMM控制器之間的新通信接口，以及用于在災(zāi)難性停電時(shí)進(jìn)行快速可靠恢復(fù)的自動(dòng)狀態(tài)機(jī)，都支持服務(wù)器和存儲(chǔ)的新一代容錯(cuò)和性能加速。除了密度和性能，通過(guò)集成前幾代NVDIMM使用的大量外部組件，芯片組還節(jié)省了成本。該芯片組可無(wú)縫配合IDT最新發(fā)布的P8800 NVDIMM電源管理芯片，提供一個(gè)具有可編程支持通電次序、電壓故障轉(zhuǎn)移和后備電源保護(hù)功能的完整解決方案。

　　IDT副總裁兼內(nèi)存接口部總經(jīng)理Rami Sethi表示：該芯片組是過(guò)去幾年我們?yōu)閷RAM和存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存解決方案帶寬和密度提高到新水平所付出的努力的結(jié)晶。為了提升多插槽內(nèi)存拓?fù)涞乃俣?，IDT與我們的客戶(hù)和生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴緊密合作，將高速串行接收器的常用技術(shù)引入了內(nèi)存子系統(tǒng)。