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華潤微推出基于 0.153μm HD BCD 工藝的 eFlash 閃存 IP

華潤上華的0.153μm HD(High Density)BCD工藝平臺采用基于數模混合工藝的BCD架構工藝,電壓范圍有1.8V-5V/7V-40V等多種檔位,提供1.8V+多種eNVM數字解決方案,主要覆蓋智能SOC電源等領域。

  近日,華潤微電子有限公司(“華潤微”)旗下的無錫華潤上華科技有限公司(“華潤上華”)宣布,公司在0.153μm HD BCD工藝平臺上實現了Logic eFlash嵌入式存儲技術與BCD技術的結合,這在國內尚屬首創(chuàng)。

  該工藝平臺的eFlash采用了成都銳成芯微科技股份有限公司(“銳成芯微”)的LogicFlash Pro專利技術。

  據介紹,華潤上華的0.153μm HD(High Density)BCD工藝平臺采用基于數?;旌瞎に嚨腂CD架構工藝,電壓范圍有1.8V-5V/7V-40V等多種檔位,提供1.8V+多種eNVM數字解決方案,主要覆蓋智能SOC電源、微處理器、智慧家居和汽車電子等應用領域。

  銳成芯微的LogicFlash Pro技術包括創(chuàng)新的存儲單元架構、工藝實現方法和IP核。得益于該技術獨特的實現方式,大大簡化了業(yè)界流行的eFlash技術的光罩層數和工藝步驟,不僅維持了原有高壓器件的高性能,也增加了具有高可靠性的eFlash,能幫助芯片企業(yè)將模擬芯片和控制芯片合二為一,有效控制整體的系統(tǒng)成本。

  基于華潤上華的BCD工藝,該eFlash IP具有集成簡便、可靠性高、兼容性廣等特點,也讓其可適用于家用電器、工業(yè)電子及汽車電子等多種高溫環(huán)境和高可靠性場景下的應用,并且已展現優(yōu)異的測試性能和結果,包括125℃高溫操作壽命大于1000小時,125℃的高溫數據保持能力超過10年,擦除寫入次數大于10萬次,該IP方案已被知名汽車芯片廠商采用。


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